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BD106B

更新时间： 2024-01-17 06:40:12

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	57K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 36V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-66

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BD106B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	2.5 A	集电极-发射极最大电压：	36 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
元件数量：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BD106B 数据手册

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与BD106B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD106C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 36V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| SOT-9	获取价格
BD107A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 64V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-66	获取价格
BD107B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 64V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-66	获取价格
BD107C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 64V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| SOT-9	获取价格
BD1080CS	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
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