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BD00JC0MNUX-M (新产品)

更新时间： 2024-10-02 11:15:27

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关晶体管整流二极管电阻器稳压器
页数	文件大小	规格书
31页	1473K
描述
BD00JC0MNUX-M是一款可从超低电压输入实现超低电压输出的线性稳压器。通过使用N-MOS FET作为内置的功率晶体管，该产品可以在低至导通电阻(RON=200mΩ)所产生的电压差（超低输入电压差）下使用。通过降低输入输出电压差，可实现大电流(Iomax=1.0A)输出，也可降低转换损耗，因此，可替代开关电源。BD00JC0MNUX-M不需要开关电源所需的扼流线圈、整流二极管和功率晶体管，因此可降低应用产品的总成本并实现小型化。可使用外置电阻器将输出电压设置为0.65～2.7V的任意值。另外，通过使用NRCS引脚，可以调整电压输出的启动时间，因此可支持应用产品的电源时序。

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Datasheet

1A Variable Output

LDO Regulator with Power Good

BD00JC0MNUX-M

General Description

Key Specifications

BD00JC0MNUX-M is a low-voltage output 1ch linear

regulator IC that operates from a very low input supply

and offers an ideal performance in low input voltage to

low output voltage applications. It has built-in

N-MOSFET power transistor that minimizes the

input-to-output voltage differential producing very

◼ Input Power Supply Voltage Range

Input Voltage 1 (V_CC):

Input Voltage 2 (V_IN):

◼ Output Voltage Range:

◼ Output Current:

3.0V to 5.5V

0.95V to 4.5V

0.65V to 2.7V

1.0A

◼ Operating Temperature Range:

-40°C to +105°C

small ON

resistance

(RON=200mΩ) level. By

lowering the dropout voltage in this way, the IC can

operate even at high current (Iomax=1A) with very low

power loss. As a result, this eliminates the need for

switching regulator and its associated components.

BD00JC0MNUX-M is designed for small packages that

causes cost reduction. Its output voltage can be varied

from 0.65V to 2.7V and it has a soft start (NRCS)

function that enables an output voltage ramp-up which

can be set to whatever power supply sequence is

required.

Package

W(Typ) x D(Typ) x H(Max)

3.0mm x 3.0mm x 0.6mm

Features

◼ High Output Voltage Accuracy : ±1%

◼ Built-in VCC Under Voltage Lock Out circuit

◼ With Soft Start Function (NRCS)

◼ Low ON Resistance

◼ Built-in Over-Current Protection Circuit

◼ Built-in Thermal Shut Down circuit (TSD)

◼ Variable Output

VSON010X3030

◼ With Tracking Function

◼ Small package VSON010X3030

Typical Application Circuit

PGDLY

V_CC

V_O

6,7

R₂

100kΩ

V_IN

22µF

R₁

NRCS

0.01µF

1µF

22µF

GND

○Product structure：Silicon monolithic integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays.

www.rohm.com

TSZ02201-0R6R0AN00500-1-2

19.Apr.2022 Rev.002

1/28

TSZ22111･14･001

12 3 4 5 6 7...31

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