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BCX70J/T4 PDF预览

BCX70J/T4

更新时间: 2024-11-27 14:48:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 125K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

BCX70J/T4 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.02
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
最大关闭时间(toff):800 ns最大开启时间(吨):150 ns
VCEsat-Max:0.55 VBase Number Matches:1

BCX70J/T4 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BCX70 series  
NPN general purpose transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 16  
Supersedes data of 1999 Apr 15  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
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NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCX70JLEADFREE CENTRAL

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC