是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.07 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 基于收集器的最大容量: | 15 pF |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
VCEsat-Max: | 0.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BCX56-16TR | CENTRAL |
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暂无描述 |
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BCX56-16TR13 | CENTRAL |
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Transistor, |
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BCX56-3L | BL Galaxy Electrical |
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80V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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BCX56-6 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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BCX56-BH | ZETEX |
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SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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BCX56-C | SECOS |
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Type : NPN ; PD (W) : 0.5 ; VCBO (V) : 100 ; VCEO (V) : 80 ; IC (A) : 1 ; hFE : 63 /&n |
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BCX56-H | FORMOSA |
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Status : Active; Package : SOT-89; Polarity : NPN; VCBOMax.(V) : 100; VCEOMax.(V) : 80; VE |
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BCX56-Q | NEXPERIA |
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80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
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BCX56-Q1-H | FORMOSA |
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Status : Active; Package : SOT-89; Polarity : NPN; VCBOMax.(V) : 100; VCEOMax.(V) : 80; VE |
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BCX56-T | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243, SOT-89, 3 PIN, BIP Gen |
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