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BCX56-6

更新时间: 2024-01-12 10:04:29
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 174K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

BCX56-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.68Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BCX56-6 数据手册

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