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BCX18LT1

更新时间： 2024-01-02 02:12:15

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
General Purpose Transistors

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BCX18LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.23	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCX18LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

PNP BCX17LT1 BCX18LT1

NPN BCX19LT1 BCX20LT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 10 mAdc, I _B= 0)

V _(BR)CEO

Vdc

BCX17, 19

BCX18, 20

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

V _(BR)CES

Vdc

(I _C= 10 µAdc, I _C= 0)

BCX17, 19

BCX18, 20

—

Collector Cutoff Current

(V _CB= 20 Vdc, I _E= 0)

I _CBO

—

100

5.0

nAdc

(V _CB= 20 Vdc, I _E= 0, T _A= 150°C )

Emitter Cutoff Current

µAdc

I_EBO

—

µAdc

(V _EB= 5.0 Vdc, I _C= 0)

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

h_FE

—

( I_C= 100 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc )

( I_C= 300 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc )

( I_C= 500 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc )

100

—

600

—

Collector–Emitter Saturation Voltage

( I_C= 500mAdc, I_B= 50mAdc )

V _CE(sat)

—

0.62

1.2

Vdc

Base–Emitter On Voltage

V _BE(on)

( I_C= 500 mAdc, V_CE= 1.0 Vdc )

M15–2/2

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