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BCW68F

更新时间： 2024-01-16 02:20:30

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安世 - NEXPERIA		IOT
页数	文件大小	规格书
13页	266K
描述
45 V, 800 mA PNP general-purpose transistorProduction

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技术参数
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BCW68F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCW68F 数据手册

Nexperia

BCW68 series

45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor

006aaa129

006aaa130

- 1.2

(3) (2) (1)

(5) (4) (3)

(2) (1)

(A)

(4)

(5)

(6)

(7)

- 0.8

(6)

(7)

(8)

(9)

(8)

(9)

- 0.4

(10)

- 1

- 2

- 3

- 4

- 5

(V)

- 1

- 2

- 3

- 4

- 5

(V)

T_amb= 25 °C

(1) I_B= -13.0 mA

(2) I_B= -11.7 mA

(3) I_B= -10.4 mA

(4) I_B= -9.1 mA

(5) I_B= -7.8 mA

(6) I_B= -6.5 mA

(7) I_B= -5.2 mA

(8) I_B= -3.9 mA

(9) I_B= -2.6 mA

(10) I_B= -1.3 mA

(1) I_B= -12.0 mA

(2) I_B= -10.8 mA

(3) I_B= -9.6 mA

(4) I_B= -8.4 mA

(5) I_B= -7.2 mA

(6) I_B= -6.0 mA

(7) I_B= -4.8 mA

(8) I_B= -3.6 mA

(9) I_B= -2.4 mA

(10) I_B= -1.2 mA

Figure 13. BCW68G: Collector current as a function of

collector-emitter voltage; typical values

Figure 14. BCW68H: Collector current as a function of

collector-emitter voltage; typical values

11 Test information

11.1 Quality information

This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council

(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is

suitable for use in automotive applications.

BCW68X_SER

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Product data sheet

Rev. 1 — 21 April 2017

8 / 13

1...5 6 789 10 11...13

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与BCW68F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW68FBK	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68FBKLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68F-DF	DIODES	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS	获取价格
BCW68FE6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BCW68FE6327HTSA1	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68FE6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格