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BCW68F

更新时间： 2024-01-30 23:42:59

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安世 - NEXPERIA		IOT
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13页	266K
描述
45 V, 800 mA PNP general-purpose transistorProduction

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技术参数
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BCW68F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCW68F 数据手册

Nexperia

BCW68 series

45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor

Table 8.

006aaa119

006aaa120

300

600

(1)

(2)

200

400

(2)

(3)

100

200

(3)

- 1

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

(mA)

I (mA)

V_CE= -1 V

(1) T_amb= 150 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -55 °C

(1) T_amb= 150 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -55 °C

Figure 3. BCW68F: DC current gain as a function of

collector current; typical values

Figure 4. BCW68G: DC current gain as a function of

collector current; typical values

006aaa121

006aaa122

800

- 10

600

BEsat

(V)

(1)

400

200

- 1

(1)

(2)

(3)

(2)

(3)

- 1

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

- 1

- 10

(mA)

I (mA)

V_CE= -1 V

I_C/I_B= 10

(1) T_amb= 150 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= -55 °C

(1) T_amb= -55 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= 150 °C

Figure 5. BCW68H: DC current gain as a function of

collector current; typical values

Figure 6. BCW68F: Base-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

BCW68X_SER

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Product data sheet

Rev. 1 — 21 April 2017

5 / 13

1 2 3 456 7 8...13

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与BCW68F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW68FBK	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68FBKLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68F-DF	DIODES	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS	获取价格
BCW68FE6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BCW68FE6327HTSA1	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
BCW68FE6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格