BCW67A

更新时间： 2024-01-20 03:28:51

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BCW67A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.11	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BCW67A 数据手册

BCW 67, BCW 68

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCW 67

BCW 68

45 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

32 V

45 V

60 V

5 V

250 mW ¹)

800 mA

1000 mA

100 mA

200 mA

150ꢀC

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_B

- I_BM

T_j

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 32 V

I_E= 0, - V_CB= 32 V, T_j= 150ꢀC

I_E= 0, - V_CB= 45 V

I_E= 0, - V_CB= 45 V, T_j= 150ꢀC

- I_CB0

–

20 nA

20 ꢀA

20 nA

20 ꢀA

BCW 67

- I_CB0

BCW 68

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 4 V

- I_EB0

–

20 nA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BCW67A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCW68HTA	DIODES	功能相似	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW68G	INFINEON	功能相似	PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)
BCW68G	FAIRCHILD	功能相似	PNP General Purpose Amplifier

与BCW67A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW67-A	INFINEON	获取价格	1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW67ABK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW67ABKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW67A-DA	DIODES	获取价格	SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW67AE6327	ROCHESTER	获取价格	800mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW67AE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCW67AL	MOTOROLA	获取价格	Transistor
BCW67AL	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, MICRO MINIATURE PACKAGE-3, BIP Gene
BCW67AL	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, NPN
BCW67ALEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCW67A

BCW67A 技术参数

BCW67A 数据手册

BCW67A 替代型号

与BCW67A相关器件

与BCW67A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BCW67A

BCW67A 技术参数

BCW67A 数据手册

BCW67A 替代型号

与BCW67A相关器件

与BCW67A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？