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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.03 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCW67BBK | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW67BBKLEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW67BCW68 | INFINEON | PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) |
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| BCW67B-DB | DIODES | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCW67BE6327 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW67BE6327HTSA1 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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