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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.01 | Is Samacsys： | N |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 170 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCW66G/E8 | ETC | BJT |
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| BCW66G/E9 | ETC | BJT |
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| BCW66GBK | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW66GBKLEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW66GE6327 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW66GE6433 | INFINEON | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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