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BCW66GE6433

更新时间: 2024-01-30 13:09:51
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6页 120K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

BCW66GE6433 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.01最大集电极电流 (IC):0.8 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.33 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):170 MHz
VCEsat-Max:0.7 VBase Number Matches:1

BCW66GE6433 数据手册

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