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BCW66GLT1

更新时间： 2024-02-08 21:50:32

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威伦 - WILLAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	291K
描述
General Purpose Transistors

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BCW66GLT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
最大关闭时间（toff）：	400 ns	最大开启时间（吨）：	100 ns
Base Number Matches：	1

BCW66GLT1 数据手册

WILLAS

BCW66GLT1

GeneralPurposeTransistors

NPN Silicon

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

Pb-Free package is available

RoHS product for packing code suffix ”G”

Halogen free product for packing code suffix “H”

DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION

SOT–23

Device

BCW66GLT1

Marking

Shipping

3000/Tape&Reel

MAXIMUM RATINGS

COLLECTOR

Rating

Symbol

Value

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Vdc

BASE

EMITTER

7.0

800

Vdc

Collector Current — Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

P_D

225

T_A

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

Alumina Substrate, (2) T_A

Derate above 25°C

= 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J

, T^stg

–55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10mAdc, I_B= 0 )

V _(BR)CEO

—

Vdc

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I_C= 10 µAdc, V _EB= 0 )

V _(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I_CES

5.0

—

Vdc

Collector Cutoff Current

(V_CE= 45 Vdc, I_E= 0 )

—

nAdc

(V_CE= 45 Vdc, I_E= 0 ) (T_A=150°C)

Emitter Cutoff Current

µAdc

I _EBO

(V _EB= 4.0 Vdc, I _C= 0)

—

nAdc

(V _EB= 7.0 Vdc, I _C= 0) (3)

100

1. FR– 5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Added I_EBOtest to guarantee quality for oxide defects

2012-11

WILLAS ELECTRONIC CORP.

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCW66GLT1G	ONSEMI	General Purpose Transistor NPN Silicon	获取价格
BCW66GLT3G	ONSEMI	General Purpose Transistor NPN Silicon	获取价格
BCW66GLX	ALLEGRO	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB,	获取价格
BCW66GR	ZETEX	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR	获取价格
BCW66GR	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,	获取价格
BCW66GR	VISHAY	TRANSISTOR NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA, MICRO MINIATURE PACKAGE-3, BIP Gene	获取价格

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