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BCW66H PDF预览

BCW66H

更新时间： 2024-02-15 23:18:45
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 295K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)

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BCW66H 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.01Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BCW66H 数据手册

 浏览型号BCW66H的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
BCW66H  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR(NPN)  
FEATURES  
* Power dissipation  
PCM :  
* Collector current  
ICM :  
0.2  
W (Tamb=25OC)  
0.8  
A
* Collector-base voltage  
: 75  
V
V
(BR)CBO  
SOT-23  
* Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
COLLECTOR  
3
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
1
2
EMITTER  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase , half wave, 60HZ, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25 C unless otherwise noted )  
MAX  
-
TYP  
-
CHARACTERISTICS  
Collector-base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
SYMBOL  
UNITS  
MIN  
75  
V
V
V
(BR)CBO  
C
E
V
-
-
-
-
(BR)CEO  
45  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 10mA, I =0)  
C
B
V
Emitter-base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
(BR)EBO  
V
5
-
E
C
-
-
µA  
Collector cut-off current (V = 45V, I =0)  
I
CBO  
0.02  
CB  
E
-
Collector cut-off current (V = 4V, I =0)  
I
EBO  
µA  
0.02  
EB  
C
-
-
-
-
DC current gain (V = 10V, I = 0.1mA)  
80  
-
-
CE  
C
DC current gain (V = 1V, I = 10mA)  
CE  
C
180  
250  
h
FE  
-
-
-
-
DC current gain (V = 1V, I = 100mA)  
630  
-
CE  
C
DC current gain (V = 2V, I = 500mA)  
100  
-
CE  
C
-
-
-
-
-
Collector-emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)  
0.3  
0.7  
1.25  
2
V
V
V
C
B
V
CE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
-
-
C
B
Base-emitter saturation voltage (I = 100mA, I = 10mA)  
C
B
V
BE(sat)  
-
Base-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
V
MHz  
pF  
C
B
Transition frequency (V = 10V, I = 20mA, f=100MHZ)  
CE  
100  
-
-
fT  
C
C
-
-
-
Collector base capacitance (V = 10V, I = 0, f=1MHZ)  
CB  
12  
80  
10  
CB  
E
Emitter base capacitance (V = 0.5V, I = 0, f=1MHZ)  
EB  
pF  
C
E
-
-
EB  
dB  
Noise figure (V = 5V, I = 0.2mA, f=1kHz, ∆f=200Hz, RG=2KΩ)  
NF  
CE  
E
Marking  
Note 1: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
EH  
2006-3  
12

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