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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.01 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 800 ns | 最大开启时间（吨）： | 150 ns |
| VCEsat-Max： | 0.55 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61ATC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61ATF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCW61ATI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCW61ATR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCW61ATR | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| BCW61ATR13 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCW61ATRL | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCW61ATRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61ATRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW61ATRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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