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BCW30

更新时间： 2024-01-22 16:06:37

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德欧泰克 - DIOTEC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

General Purpose Transistors

BCW 29, BCW 30

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ¹)

- I_C= 10 mA, - I_B= 0.5 mA

- I_C= 50 mA, - I_B= 2.5 mA

- V_BEsat

–

720 mV

810 mV

–

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ¹)

BCW 29

BCW 30

BCW 29

BCW 30

h_FE

–

120

215

150

–

260

500

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 ꢀA

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

–

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ¹)

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

- V_BEon

f_T

600 mV

100 MHz

–

750 mV

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- V_CB= 10 V, I_E= i_e= 0, f = 1 MHz

Noise figure – Rauschzahl

–

C_CB0

4.5 pF

- V_CE= 5 V, - I_C= 200 ꢀA, R_G= 2 kꢁ,

f = 1 kHz, ꢂf = 200 Hz

–

10 dB

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

420 K/W ²)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BCW 31, BCW 32

BCW 29 = C1 BCW 30 = C2

Marking – Stempelung

)

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCW30/T1	ETC	TRANSISTOR SMD KLEINSIGNAL UNIVERSAL	获取价格
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BCW30/T4	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI	获取价格
BCW30_02	FAIRCHILD	PNP General Purpose Amplifier	获取价格
BCW30BK	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格