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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.3 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | CASCADED, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCV63,215 | NXP |
类似代替  |
BCV63; BCV63B - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
|
| BCV63 | NEXPERIA |
功能相似 |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV63B,215 | ETC |
获取价格 |
TRANS 2NPN 30V/6V 0.1A SOT143B |
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| BCV63BT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
|
| BCV63B-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| BCV63B-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| BCV63-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
|
| BCV63T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, B |
|
| BCV63-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| BCV63-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| BCV64 | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose double transistor |
|
| BCV64B | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general-purpose double transistorProduction |
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