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BCV65-T

更新时间: 2024-09-25 13:02:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Small Signal

BCV65-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.25外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):75
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN AND PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BCV65-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BCV65  
NPN/PNP general purpose  
transistor  
1999 Apr 22  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Apr 22  

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