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BCV62C,235

更新时间： 2024-09-25 14:50:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	145K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Small Signal

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BCV62C,235 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	CURRENT MIRROR	最小直流电流增益 (hFE)：	420
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCV62C,235 数据手册

BCV62

PNP general-purpose double transistors

Rev. 4 — 26 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN complement

JEITA

BCV62

SOT143B

BCV61

BCV62A

BCV62B

BCV62C

BCV61A

BCV61B

BCV61C

1.2 Features and benefits

Low current (max. 100 mA)

Low voltage (max. 30 V)

Matched pairs

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic package

1.3 Applications

Applications with working point independent of temperature

Current mirrors

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_Ccollector current

Transistor TR1

h_FEDC current gain

open base

−30

−100 mA

V_CE= −5 V; I_C= −100 μA

V_CE= −5 V; I_C= −2 mA

100

800

12 3 4 5 6 7...14

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