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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.07 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | CURRENT MIRROR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV62TRL | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCV62TRL | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV62TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV63 | NXP |
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NPN general purpose double transistors |
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| BCV63 | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
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| BCV63,215 | NXP |
获取价格 |
BCV63; BCV63B - NPN general-purpose double transistors SOT-143 4-Pin |
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| BCV63/B | ETC |
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NPN General Purpose Double Transistors |
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| BCV63_10 | NXP |
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NPN general-purpose double transistors |
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| BCV63B | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose double transistors |
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| BCV63B | NEXPERIA |
获取价格 |
NPN general-purpose double transistorsProduction |
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