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BCR521

更新时间： 2024-02-19 21:41:06

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关数字晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
4页	39K
描述
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

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BCR521 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.51
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR521 数据手册

BCR 521

Electrical Characteristics at T =25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC Characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CEO

(BR)CBO

CBO

I = 100 µA, I = 0

Collector-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

Collector cutoff current

= 40 V, I = 0

100

3.75

Emitter cutoff current

= 5 V, I = 0

EBO

DC current gain

I = 50 mA, V = 5 V

Collector-emitter saturation voltage 1)

I = 50 mA, I = 2.5 mA

CEsat

i(off)

0.3

1.5

Input off voltage

I = 100 µA, V = 5 V

0.6

Input on Voltage

i(on)

I = 10 mA, V = 0.3 V

1.8

1.3

1.1

Ω

Input resistor

0.7

0.9

Resistor ratio

R /R

1 2

AC Characteristics

Transition frequency

MHz

I = 50 mA, V = 5 V, f = 100 MHz

100

1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%

Semiconductor Group

Nov-27-1996

123 4

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