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BCR183E6433HTMA1

更新时间： 2024-02-04 22:46:53

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	893K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCR183E6433HTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCR183E6433HTMA1 数据手册

BCR183...

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

100

Total power dissipation-

tot

BCR183, T ≤ 102°C

200

250

BCR183S, T ≤ 115°C

BCR183U, T ≤ 118°C

BCR183W, T ≤ 124°C

150

-65 ... 150

°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

Unit

K/W

thJS

BCR183

BCR183S

BCR183U

BCR183W

≤ 240

≤ 140

≤ 133

≤ 105

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-08-30

123 4 5 6 7...12

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