BCR183T

更新时间： 2024-01-16 12:16:42

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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PNP Silicon Digital Transistor

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BCR183T 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.42	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR183T 数据手册

BCR183...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 10kΩ , R = 10kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR183/F/L3

BCR183T/W

BCR183S

BCR183U

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07173

EHA07183

Type

BCR183

Marking

WMs

Pin Configuration

Package

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

1=B

2=E 3=C

BCR183F

BCR183L3

BCR183S

BCR183T

BCR183U

BCR183W

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C SC75

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74

1=B 2=E 3=C SOT323

Nov-17-2003

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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