BCR169U

更新时间： 2024-11-24 22:48:15

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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4页	119K
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PNP Silicon Digital Transistor

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BCR169U 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-74
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

BCR169U 数据手册

BCR169U

PNP Silicon Digital Transistor

Preliminary data

Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

Two ( galvanic) internal isolated Transistors

with good matching in one package

Built in bias resistor (R = 4.7k )

VPW09197

R₂

R₁

TR2

TR1

R₁

R₂

EHA07174

Type

BCR169U

Marking

WSs

Pin Configuration

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1

Package

SC74

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

250

150

°C

Total power dissipation, T = 118 °C

Junction temperature

tot

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

130

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Dec-13-2001

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCR16A10L	ETC	获取价格	TRIAC\|500V V(DRM)\|16A I(T)RMS\|TO-208VAR
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