BCR10PM-12LA

更新时间： 2024-02-07 05:13:28

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瑞萨 - RENESAS		栅极触发装置三端双向交流开关局域网
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BCR10PM-12LA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	10 A
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BCR10PM-12LA 数据手册

BCR10PM-12LA

Preliminary

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Conditions

RMS on-state current

Surge on-state current

I²t for fusing

I_{T (RMS)}

Commercial frequency, sine full wave

360° conduction, Tc = 85C

I_TSM

I²t

100

60Hz sinewave 1 full cycle, peak value,

non-repetitive

41.6

A²s

Value corresponding to 1 cycle of half

wave 60Hz, surge on-state current

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Peak gate voltage

P_GM

P_{G (AV)}

V_GM

I_GM

0.5

Peak gate current

Junction temperature

Storage temperature

Mass

– 40 to +125

2.0

C

Tstg

—

Typical value

Isolation voltage

Viso

2000

Ta = 25C, AC 1 minute,

T₁·T₂·G terminal to case

Notes: 1. Gate open.

Electrical Characteristics

Parameter

Repetitive peak off-state current

On-state voltage

Symbol

I_DRM

Min.

—

Typ.

Max.

2.0

Unit

Test conditions

—

Tj = 125C, V_DRMapplied

V_TM

—

1.5

Tc = 25C, I_TM= 15 A,

Instantaneous measurement

Gate trigger voltage^Note2









V_FGT

—

1.5

Tj = 25C, V_D= 6 V, R_L= 6 ,

R_G= 330 



V_RGT



V_RGT

1.5



Gate trigger current^Note2

I_FGT

30^Note5

Tj = 25C, V_D= 6 V, R_L= 6 ,

R_G= 330 







I_RGT



I_RGT



Gate non-trigger voltage

Thermal resistance

V_GD

0.2

—

3.5

—

Tj = 125C, V_D= 1/2 V_DRM

Junction to case^Note3

Tj = 125C

R_{th (j-c)}

(dv/dt)c

C/W

V/s

Critical-rate of rise of off-state

commutating voltage^Note4

Notes: 2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.

3. The contact thermal resistance R_{th (c-f)}in case of greasing is 0.5°C/W.

4. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutating voltage is shown in the table below.

5. High sensitivity (I_GT 20 mA) is also available. (I_GTitem: 1)

Commutating voltage and current waveforms

Test conditions

(inductive load)

1. Junction temperature

Time

Supply Voltage

Tj = 125C

(di/dt)c

2. Rate of decay of on-state commutating current

(di/dt)c = – 5.0 A/ms

Time

Main Current

Main Voltage

Time

3. Peak off-state voltage

V_D= 400 V

(dv/dt)c

R07DS0104EJ0300 Rev.3.00

Sep 13, 2010

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