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BCP68-16

更新时间： 2024-02-25 03:12:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	140K
描述
NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain)

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BCP68-16 数据手册

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BCP 68

Electrical Characteristics

at T = 25 ˚C, unless otherwise specified.

A

Parameter

Symbol

Values

typ.

Unit

min.

max.

DC characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CE0

V(BR)CES

V(BR)CB0

V(BR)EB0

20

25

25

5

–

–

–

–

–

–

–

–

V

IC

= 30 mA, I

B

= 0

Collector-emitter breakdown voltage

IC = 10 µA, VBE = 0

Collector-base breakdown voltage

= 10 µA, I = 0

IC

B

Emitter-base breakdown voltage

= 10 µA, I = 0

IE

B

Collector-base cutoff current

I

CB0

EB0

VCB = 25 V

–

–

–

–

100

100

nA

µA

V

CB = 25 V, T

A

= 150 ˚C

Emitter-base cutoff current

= 0

I

–

–

100

nA

–

V

EB = 5 V, I

C

DC current gain¹⁾

hFE

50

85

85

100

160

60

–

–

100

160

250

–

–

I

C

= 5 mA, VCE = 10 V

= 500 mA, VCE = 1 V

375

160

250

375

–

IC

BCP 68

BCP 68-10

BCP 68-16

BCP 68-25

IC

= 1 A, VCE = 1 V

Collector-emitter saturation voltage¹⁾

= 1 A, I = 100 mA

V

CEsat

BE

–

–

0.5

V

IC

B

Base-emitter voltage¹⁾

V

–

–

0.6

–

–

1

I

C

= 5 mA, VCE = 10 V

= 1 A, VCE = 1 V

IC

AC characteristics

Transition frequency

fT

–

100

–

MHz

IC

= 100 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz

1)

Pulse test conditions: t ≤ 300 µs, D = 2 %.

Semiconductor Group

2

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP68-16-AA3-R	UTC	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
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BCP68-16-TAPE-13	NXP	TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格
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