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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC850BLT1
BC850BLT1 PDF预览

BC850BLT1

更新时间： 2024-02-25 11:21:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC850BLT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：CASE 318-08, TO-236, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.01
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC850BLT1 数据手册

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BC846ALT1 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
65  
45  
30  
−
−
−
−
−
−
V
(BR)CEO  
(I = 10 mA)  
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
C
Collector−Emitter Breakdown Voltage BC846A,B  
V
80  
50  
30  
−
−
−
−
−
−
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 10 mA, V = 0)  
BC847A,B,C BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
C
EB  
Collector−Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
V
V
80  
50  
30  
−
−
−
−
−
−
(I = 10 mA)  
C
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
BC846A,B  
6.0  
6.0  
5.0  
−
−
−
−
−
−
(I = 1.0 mA)  
E
BC847A,B,C, BC850B,C  
BC848A,B,C, BC849B,C  
Collector Cutoff Current (V = 30 V)  
I
−
−
−
−
15  
5.0  
nA  
mA  
CB  
CBO  
(V = 30 V, T = 150°C)  
CB  
A
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
BC846A, BC847A, BC848A  
BC846B, BC847B, BC848B  
BC847C, BC848C  
h
FE  
−
−
−
90  
150  
270  
−
−
−
−
(I = 10 mA, V = 5.0 V)  
C
CE  
(I = 2.0 mA, V = 5.0 V)  
BC846A, BC847A, BC848A  
BC846B, BC847B, BC848B,  
BC849B, BC850B  
110  
200  
180  
290  
220  
450  
C
CE  
BC847C, BC848C, BC849C, BC850C  
420  
520  
800  
Collector−Emitter Saturation Voltage (I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
V
−
−
−
−
0.25  
0.6  
V
V
C
B
CE(sat)  
Collector−Emitter Saturation Voltage (I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base−Emitter Saturation Voltage (I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
V
−
−
0.7  
0.9  
−
−
C
B
BE(sat)  
Base−Emitter Saturation Voltage (I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base−Emitter Voltage (I = 2.0 mA, V = 5.0 V)  
V
BE(on)  
580  
−
660  
−
700  
770  
mV  
C
CE  
Base−Emitter Voltage (I = 10 mA, V = 5.0 V)  
C
CE  
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current−Gain − Bandwidth Product  
f
100  
−
−
−
−
MHz  
T
(I = 10 mA, V = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)  
C
CE  
Output Capacitance (V = 10 V, f = 1.0 MHz)  
C
4.5  
pF  
dB  
CB  
obo  
Noise Figure (I = 0.2 mA,  
NF  
C
V
= 5.0 Vdc, R = 2.0 kW,  
BC846A,B, BC847A,B,C, BC848A,B,C  
BC849B,C, BC850B,C  
−
−
−
−
10  
4.0  
CE  
S
f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz)  
http://onsemi.com  
2
123456

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