BC850BLT1

更新时间： 2024-01-19 18:18:18

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	96K
描述
General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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BC850BLT1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	CASE 318-08, TO-236, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC850BLT1 数据手册

BC846ALT1 Series

BC846

1.0

T = 25°C

= 5 V

T = 25°C

0.8

@ I /I = 10

C B

BE(sat)

2.0

1.0

0.5

0.6

0.4

0.2

@ V = 5.0 V

0.2

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

0.1 0.2

1.0

100

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0

10 20

50 100 200

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 7. DC Current Gain

Figure 8. “On” Voltage

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

−1.0

−1.4

−1.8

−2.2

−2.6

−3.0

T = 25°C

100 mA

200 mA

20 mA

50 mA

for V

−55°C to 125°C

10 mA

0.02 0.05 0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0

10 20

100 200

I , BASE CURRENT (mA)

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 9. Collector Saturation Region

Figure 10. Base−Emitter Temperature Coefficient

T = 25°C

= 5 V

T = 25°C

500

200

100

6.0

4.0

2.0

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

10 20

100

1.0

5.0 10

50 100

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 11. Capacitance

Figure 12. Current−Gain − Bandwidth Product

http://onsemi.com

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