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BC847BS-AU_R1_000A1

更新时间： 2024-11-15 12:31:43

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强茂 - PANJIT		晶体晶体管光电二极管放大器
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NPN GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR

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BC847BS-AU_R1_000A1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101; TS 16949	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC847BS-AU_R1_000A1 数据手册

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BC847BS-AU

NPN GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR

VOLTAGE

45 Volts

POWER

150 mWatts

FEATURES

0.087(2.20)

0.074(1.90)

• General purpose amplifier applications

• PNP epitaxial silicon, planar design

0.030(0.75)

0.021(0.55)

0.010(0.25)

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. .

(Halogen Free)

0.054(1.35)

0.045(1.15)

• Acqire quality system certificate : TS16949

• AEC-Q101 qualified

0.010(0.25)

0.003(0.08)

0.056(1.40)

0.047(1.20)

MECHANICAL DATA

• Case : SOT-363, Plastic

• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight : 0.006 gram

• Marking : 47S

0.012(0.30)

0.005(0.15)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Units

Collector - Emitter Voltage

CEO

Collector - Base Voltage

Emitter - Base Voltage

CBO

EBO

Collector Current - Continuous

100

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

P_D

Value

Units

Total Device Dissipation

300

150

mW/^OC

Per Device FR-5 Board (Note 1)T_A=25^OC

Derate above 25^OC

Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 2)

Junction Temperature

R_JA

T_J

550

^OC/W

^OC

-55 to 150

Storage Temperature

T_STG

^OC

Note : 1.FR-5 board 1 x 0.75 x 0.062 in.

2.Mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.

PAGE . 1

April 3,2013-REV.04

12 3 4 5 6 7

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