Datasheet > BC846BS

BC846BS

更新时间： 2024-02-20 18:15:52

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	242K
描述
65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistorProduction

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC846BS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.04
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BC846BS 数据手册

BC846BS

65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor

1 July 2022

Product data sheet

1. General description

NPN/NPN general-purpose transistor pair in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Low collector capacitance

•

Low collector-emitter saturation voltage

Closely matched current gain

Reduces number of components and board space

No mutual interference between the transistors

3. Applications

•

General-purpose switching and amplification

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

DC current gain

100

450

h_FE

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA; T_amb= 25 °C

200

300

12 3 4 5 6 7...12

下载PDF

与BC846BS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC846BS,115	ETC	TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP	获取价格
BC846BS,135	NXP	BC846BS/S711 - 65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor TSSOP 6-Pin	获取价格
BC846BS62Z	TI	100mA, 65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
BC846BS-AU	PANJIT	SOT-363	获取价格
BC846BSHE3	MCC	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;	获取价格
BC846BSH-Q	NEXPERIA	65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose double transistorProduction	获取价格