BC846BS

更新时间： 2024-02-17 01:46:17

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	99K
描述
65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor

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BC846BS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.03	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BC846BS 数据手册

BC846BS

65 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor

Rev. 01 — 24 August 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/NPN general-purpose transistor pair in a very small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

PNP/PNP

complement

NPN/PNP

complement

JEITA

BC846BS

SOT363

SC-88

BC856BS

BC846BPN

1.2 Features

I Low collector capacitance

I Low collector-emitter saturation voltage

I Closely matched current gain

I Reduces number of components and board space

I No mutual interference between the transistors

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I General-purpose switching and ampliﬁcation

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per transistor

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

100

450

h_FE

DC current gain

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA

200

300

12 3 4 5 6 7...12

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