BC817

更新时间： 2024-02-29 08:29:32

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	121K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC817 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC817 数据手册

BC 817 / BC 818

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 817

BC 818

25 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted V_CES

E open

C open

V_CE0

45 V

50 V

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

310 mW ¹)

800 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

h_FE

100

160

250

–

160

250

400

600

–

250

400

600

BC817

BC818

Group -16

Group -25

Group -40

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

与BC817相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC817,215	NXP	获取价格	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817,235	NXP	获取价格	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA
BC817.16BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA
BC817.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.40	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AA

与BC817相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

3
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

6
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

10
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

4

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC817

BC817 技术参数

BC817 数据手册

与BC817相关器件

与BC817相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC817

BC817 技术参数

BC817 数据手册

与BC817相关器件

与BC817相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？