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BC817-16LT1-T

更新时间： 2024-10-02 03:25:39
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RECTRON /
页数 文件大小 规格书
4页 233K
描述
Transistor

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BC817-16LT1-T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

BC817-16LT1-T 数据手册

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BC817-16LT1  
BC817-25LT1  
BC817-40LT1  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
For general AF applications  
High collector current  
*
*
*
*
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
SOT-23  
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base voltage  
SYMBOL  
VALUE  
50  
UNITS  
V
V
CBO  
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
45  
5
V
V
CEO  
V
EBO  
I
Collector current-continuous  
Collector dissipation  
0.5  
A
C
P
C
0.3  
W
oC  
Junction and storage temperature  
TJ,Tstg  
-55 -150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
16LT1  
25LT1  
MIN.  
40LT1  
16LT1  
25LT1  
MAX.  
40LT1  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNITS  
Collector-base breakdown voltage (I = 10µA, I =0)  
V
V
50  
45  
-
-
V
V
C
E
CBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 10mA, I =0)  
C
B
CEO  
Emitter-base breakdown voltage (I = 1µA, I =0)  
V
I
5
-
-
V
E
C
EBO  
Collector cut-off current (V = 45V, I =0)  
0.1  
µA  
CB  
E
CBO  
Emitter cut-off current (V = 4V, I =0)  
I
EBO  
-
0.1  
µA  
EB  
C
DC current gain (V = 1V, I = 100mA)  
h
FE(1)  
100  
160  
250  
250  
400  
600  
-
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
V
V
-
-
0.7  
1.2  
V
V
C
B
CE(sat)  
Base-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
C
B
BE(sat)  
Base-emitter voltage (V = 1V, I = 500mA)  
V
-
1.2  
V
CE  
C
BE(ON)  
Collector capactiance (V =10V, f = 1MHz)  
10  
pF  
Cob  
CB  
Transition frequency (V = 5V, I = 10mA, f= 100MHZ)  
100  
-
MHZ  
f
T
CE  
C
MARKING:  
16LT1--6A;  
25LT1--6B;  
40LT1--6C  
2007-3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817-16LT1-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC817-16LT3 ONSEMI

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BC817-16Q-7-F DIODES

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