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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC817-16LT3G
BC817-16LT3G PDF预览

BC817-16LT3G

更新时间： 2024-09-25 11:54:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 114K
描述
General Purpose Transistors

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BC817-16LT3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：0.65
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：519124Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：RL1206FR-070R22LSamacsys Released Date：2019-02-21 12:52:40
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC817-16LT3G 数据手册

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BC817-16LT1G,  
BC817-25LT1G,  
BC817-40LT1G  
General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
Compliant  
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
3
50  
V
5.0  
V
1
2
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
500  
mAdc  
C
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance,  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation  
P
D
6x M G  
Alumina Substrate, (Note 2)  
G
T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance,  
R
417  
°C/W  
q
JA  
6x = Device Code  
x = A, B, or C  
Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
M
= Date Code*  
J
stg  
G
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 11  
BC817−16LT1/D  
 
1234567...10

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BC817-16LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC817-16LT1 ONSEMI

完全替代

 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC817-16LT1G ONSEMI

类似代替

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类似代替

 General Purpose Transistors(NPN Silicon)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC81716MTF FAIRCHILD

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BC817-16Q DIODES

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BC817-16Q YANGJIE

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 		SOT-23
BC817-16-Q NEXPERIA

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BC817-16Q62702-C1732 ETC

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BC817-16QB NEXPERIA

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