5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BC817
BC817 PDF预览

BC817

更新时间： 2024-01-24 03:21:12
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 185K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC817 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：5 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BC817 数据手册

 浏览型号BC817的Datasheet PDF文件第2页 
BC817 / BC818  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors  
for switching, AF driver and amplifier application,  
These transistors are subdivided into three groups  
–16, -25, -40 according to their current gain.  
As complementary types, the PNP transistors  
BC807 and BC808 are recommended.  
SOT-23 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Value  
Unit  
BC817  
BC818  
BC817  
BC818  
50  
30  
45  
25  
Collector Base Voltage  
V
V
Collector Emitter Voltage  
VCEO  
Emitter Base Voltage  
VEBO  
IC  
5
500  
V
Collector Current  
mA  
mW  
K/W  
Power Dissipation  
Ptot  
RθJA  
TJ  
200  
Thermal Resistance , Junction to Ambient  
Junction Temperature  
500  
O
C
150  
O
C
Storage Temperature Range  
Ts  
- 55 to + 150  
O
Electrical Characteristics at Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
DC Current Gain  
at VCE = 1 V, IC = 100 mA  
Current Gain Group -16  
hFE  
hFE  
hFE  
hFE  
100  
160  
250  
40  
-
-
-
-
250  
400  
600  
-
-
-
-
-
-25  
-40  
at VCE = 1 V, IC = 500 mA  
Collector Base Cutoff Current  
at VCB = 20 V  
Emitter-Base Cutoff Current  
at VEB = 5 V  
Collector Saturation Voltage  
at IC = 500 mA, IB = 50 mA  
Base-Emitter Voltage  
at IC = 500 mA, VCE = 1 V  
Gain -Bandwidth Product  
at VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz  
Collector-Base Capacitance  
at VCB = 10 V, f = 1 MHz  
ICBO  
IEBO  
-
-
-
100  
100  
0.7  
1.2  
-
nA  
nA  
V
-
VCEsat  
VBE(on)  
fT  
-
-
-
100  
-
-
V
-
MHz  
pF  
CCBO  
5
-
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 19/12/2005  
12

中文翻译

下载PDF

与BC817相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817,215 NXP

获取价格

 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817,235 NXP

获取价格

 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817.16 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC817.16BK CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.16TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC817.25TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.25TR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC817.40 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA

与BC817相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证