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BC558A

更新时间： 2024-02-01 13:44:25

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SECOS		晶体晶体管
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3页	308K
描述
Elektronische Bauelemente

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BC558A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC558A 数据手册

BC556, B, C

BC557, A, B, C

BC558, A, B, C

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

TO-92

PNP Transistor

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

Collector current

I_CM:

0.625

- 0.1

-80

W (Tamb=25℃)

Collector-base voltage

V_CBO

BC556

BC557

BC558

-50

-30

2 3

Operating and storage junction temperature range

1. COLLECTOR

2. BASE

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

-80

-50

-30

-65

-45

-30

V_CBO

Ic= -100µA , I_E=0

V_CEO= -2mA, I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_EBO

I_E= -100µA, I_C=0

V_CB= -70V, I_E=0

-6

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

-0.1

I_CBO

_CB= -45 V, I_E=0

_CB= -25V, I_E=0

V_CE= -60 V, I_B=0

µA

Collector cut-off current

I_CEO

_CE= -40 V, I_B=0

_CE= -25 V, I_B=0

-0.1

µA

Emitter cut-off current

DC current gain

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

BC556

BC557

BC558

120

180

420

500

800

220

460

800

h_FE(1)

V_CE=-5V, I_C= -2mA

BC557A/558A

BC556B/BC557B/BC558B

BC556C/BC557C/BC558C

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I _C=-100 mA, I_B= -5mA

I _C= -100 mA, I_B=-5mA

-0.3

-1

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= -5V, I_C= -10mA

150

MHz

f _T

f = 100MHz

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

Page 1 of 3

12 3

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与BC558A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC558A(AMMOPAK)	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
BC558A(BOX)	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
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BC558A/E7	VISHAY	Transistor	获取价格
BC558A{AMMOPAK}	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
BC558A{BOX}	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格