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BC546B

更新时间: 2024-02-10 04:31:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
Amplifier Transistors(NPN Silicon)

BC546B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TO-92-18R, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:2.5 pF集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):110
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.5 W
最大功率耗散 (Abs):0.5 W表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

BC546B 数据手册

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by BC546/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
BC  
BC  
BC  
546  
547  
548  
Rating  
CollectorEmitter Voltage  
CollectorBase Voltage  
EmitterBase Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
65  
45  
30  
80  
50  
30  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
V
65  
45  
30  
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
CollectorBase Breakdown Voltage  
(I = 100 µAdc)  
C
BC546  
BC547  
BC548  
V
80  
50  
30  
(BR)CBO  
EmitterBase Breakdown Voltage  
BC546  
BC547  
BC548  
V
6.0  
6.0  
6.0  
(BR)EBO  
(I = 10 A, I = 0)  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 70 V, V  
= 50 V, V  
= 35 V, V  
= 0)  
= 0)  
= 0)  
BC546  
BC547  
BC548  
BC546/547/548  
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
15  
4.0  
nA  
BE  
BE  
BE  
= 30 V, T = 125°C)  
µA  
A
REV 1  
Motorola, Inc. 1996  

BC546B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE159 NTE

类似代替

Silicon PNP Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE123AP)
NTE382 NTE

类似代替

Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver
NTE293 NTE

类似代替

Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver

与BC546B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC546B,116 NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC546B,126 NXP

获取价格

TRANSISTOR 100 mA, 65 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
BC546B/D10Z TI

获取价格

65V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D26Z TI

获取价格

NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D27Z TI

获取价格

NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D74Z TI

获取价格

NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/D75Z TI

获取价格

NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC546B/E6 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546B/E7 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC546B/L34Z TI

获取价格

NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92