5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BC516D74Z
BC516D74Z PDF预览

BC516D74Z

更新时间： 2024-01-18 15:14:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 25K
描述
TRANSISTOR 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC516D74Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.74
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：30000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BC516D74Z 数据手册

 浏览型号BC516D74Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC516D74Z的Datasheet PDF文件第3页 
BC516  
PNP Darlington Transistor  
•
This device is designed for applications reguiring extremely high  
current gain at currents to 1mA.  
•
Sourced from process 61.  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
30  
CEO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
CBO  
EBO  
10  
1
V
I
- Continuous  
= 25°c  
A
C
P
Total Power Dissipation  
T
625  
mW  
°C  
D
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
Typ.  
Max. Units  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 2mA, I = 0  
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
CBO  
C
C
E
B
V
V
= 100µA, I = 0  
40  
E
= 10µA, I = 0  
10  
C
I
V
= 30V, I = 0  
100  
nA  
CB  
E
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
= 20mA, V = 2V  
30000  
FE  
C
C
C
C
CE  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
= 100mA, I = 0.1mA  
1
V
V
CE  
BE  
B
= 10mA, V = 5V  
1.4  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product (2)  
= 10mA, V = 5V, f = 100MHz  
200  
MHz  
T
CE  
NOTES:  
1. Pulse Test Pulse Width ≤ 2%  
2. = Ih I · f  
f
T
fe test  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Max.  
Units  
R
R
200  
°C/W  
°C/W  
θJA  
θJC  
83.3  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, January 2002  
123

中文翻译

下载PDF

与BC516D74Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC516D75Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC516J05Z TI

获取价格

 		PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC516J18Z TI

获取价格

 		PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517 NXP

获取价格

 		NPN Darlington transistor
BC517 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
BC517 KEC

获取价格

 		EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
BC517 MICRO-ELECTRONICS

获取价格

 		COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
BC517 SEMTECH

获取价格

 		NPN Silicon Darlington Transistor
BC517 MOTOROLA

获取价格

 		Darlington Transistors
BC517 ONSEMI

获取价格

 		Darlington Transistors(NPN Silicon)

与BC516D74Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证