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BC517

更新时间: 2024-01-14 09:10:51
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 72K
描述
COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR

BC517 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.25最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):30000JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):220 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BC517 数据手册

  

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