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BC263

更新时间: 2024-01-22 06:48:33
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
PNP HIGH GAIN LOW NOISE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC263 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:SingleJESD-609代码:e0
最高工作温度:175 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

BC263 数据手册

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