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BC200

更新时间: 2024-11-25 22:27:23
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 125K
描述
MINIATURE PNP AF LOW NOISE SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC200 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-XBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.73最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:O-XBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.05 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

BC200 数据手册

 浏览型号BC200的Datasheet PDF文件第2页 

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