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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC182AG
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BC182AG

更新时间： 2024-01-19 12:40:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
晶体管硅塑料 NPN

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BC182AG 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

BC182AG 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 10 µA, V  
C CE  
h
FE  
—
= 5.0 V)  
BC182  
BC183  
BC184  
40  
40  
100  
—
—
—
—
—
—
(I = 2.0 mA, V  
CE  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
BC182  
BC183  
BC184  
120  
120  
250  
—
—
—
500  
800  
800  
C
(I = 100 mA, V  
C CE  
BC182  
BC183  
BC184  
80  
80  
130  
—
—
—
—
—
—
Collector–Emitter On Voltage  
(I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
V
V
V
CE(sat)  
—
—
0.07  
0.2  
0.25  
0.6  
C
B
(1)  
(I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
(1)  
—
—
1.2  
V
V
BE(sat)  
(I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
V
BE(on)  
(I = 100 µA, V  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
—
0.55  
—
0.5  
0.62  
0.83  
—
0.7  
—
C
CE  
CE  
CE  
(I = 2.0 mA, V  
C
(1)  
(I = 100 mA, V  
C
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
MHz  
(I = 0.5 mA, V  
= 3.0 V, f = 100 MHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
100  
120  
140  
—
—
—
C
CE  
(I = 10 mA, V  
= 5.0 V, f = 100 MHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
150  
150  
150  
200  
240  
280  
—
—
—
C
CE  
Common Base Output Capacitance  
(V = 10 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
—
—
5.0  
pF  
pF  
—
ob  
CB  
Common Base Input Capacitance  
(V = 0.5 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
C
—
8.0  
—
ib  
EB  
C
Small–Signal Current Gain  
h
fe  
(I = 2.0 mA, V  
C
= 5.0 V, f = 1.0 kHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
BC182A  
BC182B  
125  
125  
240  
125  
240  
—
—
—
—
—
500  
900  
900  
260  
500  
CE  
Noise Figure  
NF  
dB  
(I = 0.2 mA, V  
C
= 5.0 V, R = 2.0 kΩ,  
S
CE  
f = 1.0 kHz)  
(I = 0.2 mA, V  
f = 1.0 kHz, f = 200 Hz)  
= 5.0 V, R = 2.0 kΩ,  
BC184  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
—
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.0  
10  
10  
C
CE  
S
4.0  
1. Pulse Test: Tp 300 s, Duty Cycle 2.0%.  
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234

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BC182AG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5087LT3G ONSEMI

功能相似

 		Low Noise Transistor
ZTX451 DIODES

功能相似

 		NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

与BC182AG相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC182ARL MOTOROLA Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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BC182ARL1 MOTOROLA 100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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BC182ARLRF MOTOROLA 100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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