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BC160-16

更新时间: 2024-11-28 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 53K
描述
PNP medium power transistors

BC160-16 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.65Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:30 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:3.7 W最大功率耗散 (Abs):0.75 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
最大关闭时间(toff):650 ns最大开启时间(吨):500 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

BC160-16 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC160; BC161  
PNP medium power transistors  
Product specification  
1997 May 12  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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