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BC122

更新时间: 2024-11-27 22:39:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 222K
描述
npn silicon transistors

BC122 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):0.075 A基于收集器的最大容量:7 pF
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.4 V

BC122 数据手册

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