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BBY6605WH6327XTSA1

更新时间: 2024-11-15 15:29:19
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
Variable Capacitance Diode, 68.7pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, SOT-323, 3 PIN

BBY6605WH6327XTSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.78其他特性:HIGH Q
最小击穿电压:12 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差:4%最小二极管电容比:5
标称二极管电容:68.7 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED变容二极管分类:HYPERABRUPT
Base Number Matches:1

BBY6605WH6327XTSA1 数据手册

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BBY66...  
Silicon Tuning Diodes  
High capacitance ratio  
High Q hyperabrupt tuning diode  
Low series resistance  
Designed for low tuning voltage operation  
for VCO's in mobile communications equipment  
Very low capacitance spread  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
BBY66-02V  
BBY66-05  
BBY66-05W  
3
D
2
1
2
D
1
1
2
Type  
Package  
SC79  
Configuration  
single  
L (nH) Marking  
S
BBY66-02V  
BBY66-05  
0.6  
1.8  
1.4  
h
SOT23  
SOT323  
common cathode  
common cathode  
O1s / O2s**  
OBs  
BBY66-05W  
**For differences see next page Capacitance groups  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
12  
Diode reverse voltage  
Forward current  
V
R
50  
mA  
°C  
I
F
Operating temperature range  
T
T
-55 ... 150  
-55 ... 150  
op  
Storage temperature  
stg  
1
Pb-containing package may be available upon special request  
2007-04-20  
1

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