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BB837E6327

更新时间： 2024-11-14 20:07:15

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	882K
描述
Variable Capacitance Diode, S Band, 6.6pF C(T), Silicon,

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BB837E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.33	配置：	SINGLE
最小二极管电容比：	9.7	标称二极管电容：	6.6 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BB837E6327 数据手册

BB837/BB857...

Silicon Tuning Diode

• For SAT tuners

• High capacitance ratio

• Low series resistance

• Excellent uniformity and matching due to

"in-line" matching assembly procedure

• Pb-free (RoHS compliant) package

BB837

BB857

BB857-02V

Type

BB837

BB857*

BB857-02V

Package

SOD323

SCD80

SC79

Configuration

single

Marking

white M

single

* Not for new design

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

R ≥ 5kΩ

°C

Forward current

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ...150

Stg

2014-03-31

12 3 4 5 6 7 8

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