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BAV99S

更新时间： 2024-01-07 14:36:20

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恩智浦 - NXP		二极管开关
页数	文件大小	规格书
14页	146K
描述
High-speed switching diodes

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BAV99S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	其他特性：	HIGH SPEED SWITCH
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAV99S 数据手册

BAV99 series

High-speed switching diodes

Rev. 07 — 14 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

High-speed switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD)

plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Configuration

Package

configuration

JEITA

JEDEC

TO-236AB dual series

BAV99

SOT23

SOT363

SOT323

small

BAV99S

BAV99W

SC-88

SC-70

quadruple; 2 series

dual series

very small

1.2 Features and benefits

High switching speed: t_rr≤ 4 ns

Low leakage current

Low capacitance: C_d≤ 1.5 pF

Reverse voltage: V_R≤ 100 V

AEC-Q101 qualified

Small SMD plastic packages

1.3 Applications

High-speed switching

Reverse polarity protection

General-purpose switching

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Per diode

I_R

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse current

V_R= 80 V

0.5

100

μA

V_R

reverse voltage

[1]

t_rr

reverse recovery time

[1] When switched from I_F= 10 mA to I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 1 mA.

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