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BAT54VV

更新时间： 2024-02-16 05:22:14

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安世 - NEXPERIA		测试光电二极管
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8页	176K
描述
Schottky barrier triple diode in ultra small SOT666 packageProduction

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BAT54VV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	1.46
配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.17 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAT54VV 数据手册

BAT54VV

Schottky barrier triple diode in ultra small SOT666 package

27 December 2022

Product data sheet

1. General description

Planar Schottky barrier triple diode with an integrated guard ring for stress protection. Three

electrically isolated Schottky barrier diodes, encapsulated in a SOT666 ultra small SMD plastic

package.

2. Features and benefits

•

Low forward voltage

•

Ultra small SMD plastic package

Low capacitance

Flat leads: excellent coplanarity and improved thermal behavior

3. Applications

•

Ultra high-speed switching

Voltage clamping

Line termination

Inverse-polarity protection

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Per diode

V_R

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse voltage

forward current

I_F

200

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

Simplified outline

Graphic symbol

anode (diode 1)

anode (diode 2)

anode (diode 3)

cathode (diode 3)

cathode (diode 2)

cathode (diode 1)

K1 K2 K3

A1 A2 A3

sym046

SOT666

12 3 4 5 6 7 8

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