BAT54TDW

更新时间： 2024-02-01 08:06:09

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美台 - DIODES		二极管
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1页	131K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diodes Arrays

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BAT54TDW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	6.92
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAT54TDW 数据手册

BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW

SCHOTTKY DIODE

SOT-363

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200 mW (Tamb=25℃)

Forward Current

I_F:

Reverse Voltage

V_R:

200 m A

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

I_R= 100µA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=25V

µA

I_F=0.1mA

I_F=1mA

240

320

400

500

1000

V_F

Forward voltage

I_F=10mA

I_F=30mA

I_F=100mA

C_D

t _{r r}

V_R=1V, f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

I_F=10mA through I_R=10mA

to I_R=1.0mA R_C=100Ω

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