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BAT54H PDF预览

BAT54H

更新时间： 2024-02-19 00:45:26
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DAESAN 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 260K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAT54H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.92
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.24 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAT54H 数据手册

 浏览型号BAT54H的Datasheet PDF文件第2页 
Surface Mount Schottky  
Barrier Diode  
BAT54H  
Features  
PACKAGE DIMENSIONS  
SOD-323  
PLASTIC PACKAGE  
Low Turn-on Voltage  
Extremely Fast Switching Speed  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
K
A
Mechanical Data  
Case: Molded Plastic  
Polarity: See Diagrams Below  
Mounting Position : Any  
1
B
D
2
Low Forward Voltage : 0.35 Volts (Typ) @ IF = 10 mAdc  
Shipping : 3000 / Tape & Reel  
E
C
1
2
1
CATHODE  
ANODE  
2
BA T54 H M arking : JV  
H
PIN 1. CATHODE  
2. ANODE  
J
NOTE  
3
NOTES:  
1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSIY14.5M, 1982.  
2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.  
3.LEAD THICKNESS SPECIFIED PER L/F DRAWING  
WITH SOLDER PLATING.  
MAXIMUM RATING S (T = 125 5C unless otherwise noted)  
J
Symbol  
Rating  
Value  
30  
Unit  
V
Reverse Voltage  
V
R
THERMAL CHARACTERISTICS  
MILLIMETERS  
INCHES  
Symbol  
Characteristic  
Max  
200  
Unit  
mW  
DIM MIN  
MAX  
1.80  
1.35  
1.00  
0.40  
MIN  
MAX  
0.071  
0.053  
0.039  
0.016  
A
B
C
D
E
H
J
1.60  
1.15  
0.80  
0.25  
0.063  
0.045  
0.031  
0.010  
P
Total Device Dissipation FR –5 Board,*  
D
oC  
T
= 25  
A
oC  
oC  
mW/  
Derate above 25  
1.57  
635  
150  
O C/W  
oC  
R
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
JA  
0.15 REF  
0.006 REF  
0.00  
0.089  
2.30  
0.10  
0.000  
0.004  
T , T  
J stg  
0.177 0.0035 0.0070  
2.70 0.091 0.106  
*FR F–4R-4Minimum Pad  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
oC  
K
(T = 25  
A
unless otherwise noted)  
Characteristic  
Reverse Breakdown Voltage (I = 10 A)  
Symbol  
Min  
30  
Ty p  
Max  
Unit  
Volts  
pF  
V
R
(BR)R  
Total Capacitance (V = 1.0 V, f = 1.0 MHz)  
C
7.6  
0.5  
10  
2.0  
0.24  
0.5  
1.0  
5.0  
R
T
Reverse Leakage (V = 25 V)  
I
Adc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
ns  
R
R
Forward Voltage (I = 0.1 mAdc)  
V
V
V
0.22  
0.41  
0.52  
F
F
F
Forward Voltage (I = 30 mAdc)  
F
Forward Voltage (I = 100 mAdc)  
F
F
Reverse Recovery Time  
t
rr  
(I = I = 10 mAdc, I  
= 1.0 mAdc) Figure 1  
F
R
R(REC)  
Forward Voltage (I = 1.0 mAdc)  
V
V
0.29  
0.35  
0.32  
0.40  
200  
300  
600  
Vdc  
Vdc  
F
F
F
Forward Voltage (I = 10 mAdc)  
F
Forward Current (DC)  
I
mAdc  
mAdc  
mAdc  
F
Repetitive Peak Forward Current  
I
FRM  
FSM  
Non-RepetitivePeak Forward Current (t < 1.0 s)  
I
12

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